鋰動(dong)(dong)力(li)(li)動(dong)(dong)力(li)(li)電(dian)池(chi)的邊電(dian)阻專(zhuan)指(zhi)硬包動(dong)(dong)力(li)(li)動(dong)(dong)力(li)(li)電(dian)池(chi)正極(ji)耳與鋁(lv)(lv)塑(su)膜之(zhi)(zhi)間鋁(lv)(lv)層的電(dian)阻。理論(lun)上上，正極(ji)與鋁(lv)(lv)塑(su)膜之(zhi)(zhi)間鋁(lv)(lv)層是(shi)(shi)絕(jue)緣層的，也可是(shi)(shi)說(shuo)：兩(liang)人(ren)的電(dian)阻大概為0。實(shi)際效果(guo)上,鋁(lv)(lv)塑(su)膜制造的過(guo)程中，里層的PP層會有(you)身體局(ju)布(bu)遭到破壞，以至(zhi)于兩(liang)人(ren)之(zhi)(zhi)間冒出身體局(ju)布(bu)導通，養(yang)成微動(dong)(dong)力(li)(li)動(dong)(dong)力(li)(li)電(dian)池(chi)，因此出現電(dian)勢(shi)差。

邊輸(shu)出功(gong)率要(yao)求各廠(chang)家(jia)代理商有(you)異同，但(dan)制造業大地方定在1.0V以下的(de)，輸(shu)出功(gong)率的(de)要(yao)求數(shu)據起(qi)原于鋁鋰合金類的(de)容解電極(ji)電位。

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假設(she)鋁(lv)塑膜(mo)(mo)(mo)外膜(mo)(mo)(mo)PP膜(mo)(mo)(mo)受損后(hou)，數量(liang)突(tu)然(ran)出現腐(fu)化(hua)受損。生腐(fu)化(hua)的(de)水平須得有(you)兩種(zhong)：1、電子環路(lu)(lu)，負(fu)電極材料和(he)鋁(lv)塑膜(mo)(mo)(mo)的(de)鋁(lv)層達成電子器件環路(lu)(lu)；2、亞(ya)鐵(tie)化(hua)合(he)物(wu)環路(lu)(lu)，鋁(lv)塑膜(mo)(mo)(mo)的(de)鋁(lv)層和(he)電解設(she)備(bei)液構成亞(ya)鐵(tie)化(hua)合(he)物(wu)環路(lu)(lu)；少了所有(you)的(de)一(yi)種(zhong)，腐(fu)蝕(shi)性全部創辦。

5個(ge)的(de)條件都注冊(ce)成立后，鋰(li)正(zheng)離子就會(hui)變和(he)鋁(lv)塑(su)膜(mo)的(de)鋁(lv)層發生(sheng)響應，導出鋰(li)鋁(lv)和(he)金(jin)(jin)；而(er)鋰(li)鋁(lv)和(he)金(jin)(jin)不是種粉(fen)未(wei)狀(zhuang)物料，誘發鋁(lv)塑(su)膜(mo)洞(dong)穿(chuan)；也(ye)這(zhe)就是我(wo)們公司通(tong)常遇到的(de)鋁(lv)塑(su)膜(mo)內(nei)外部某些(xie)黑點；這(zhe)么多(duo)黑點會(hui)隨的(de)時(shi)間、充擊穿(chuan)機會(hui)多(duo)而(er)臉(lian)變愈(yu)來愈(yu)越分明(ming)。

日前數據匯總(zong)到的(de)(de)監測(ce)(ce)(ce)做(zuo)法有：1、公(gong)測(ce)(ce)(ce)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)鋁塑膜(mo)和負極耳中(zhong)(zhong)間的(de)(de)電(dian)阻器功率(lv)，低于5M歐姆則是(shi)相對較安會的(de)(de)；電(dian)阻器功率(lv)公(gong)測(ce)(ce)(ce)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)其主要是(shi)將智能通道挑(tiao)而來；2、公(gong)測(ce)(ce)(ce)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)正極和鋁膜(mo)中(zhong)(zhong)間的(de)(de)功率(lv)，可(ke)用直流電(dian)源源公(gong)測(ce)(ce)(ce)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)，基本(ben)上人(ren)(ren)為該功率(lv)低于0.001mA，則為不(bu)合(he)(he)理(li)品，是(shi)可(ke)以挑(tiao)出；3、公(gong)測(ce)(ce)(ce)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)正極和鋁膜(mo)中(zhong)(zhong)間的(de)(de)電(dian)壓電(dian)流，基本(ben)上人(ren)(ren)為低于1V則為不(bu)合(he)(he)理(li)品。可(ke)1和2，或(huo)者是(shi)1和3結合(he)(he)公(gong)測(ce)(ce)(ce)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)圖(tu)(tu)(tu)片(pian)(pian)(pian)(pian)

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